商标信息3
专利信息64
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 套刻偏差的补偿方法 | 发明专利 | CN202010898429.2 | CN114114844A | 2022-03-01 |
2 | 半导体器件的形成方法 | 发明专利 | CN202010851431.4 | CN114079008A | 2022-02-22 |
3 | 一种半导体结构的形成方法 | 发明专利 | CN202010809812.6 | CN114078746A | 2022-02-22 |
4 | 一种半导体结构的形成方法 | 发明专利 | CN202010831769.3 | CN114078705A | 2022-02-22 |
5 | 一种退火方法 | 发明专利 | CN202010793318.5 | CN114078695A | 2022-02-22 |
6 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | CN202010777534.0 | CN114068398A | 2022-02-18 |
7 | 基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法 | 发明专利 | CN202010743331.X | CN114068340A | 2022-02-18 |
8 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | CN202010734868.X | CN114005754A | 2022-02-01 |
9 | 半导体结构及其形成方法 | 发明专利 | CN202010710127.8 | CN113972136A | 2022-01-25 |
10 | 一种套刻对准的检测方法 | 发明专利 | CN201810302059.4 | CN110349874B | 2021-06-04 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 中芯南方 | webmail.smscs.com | 沪ICP备20016480号 | 企业 | 2021-02-22 |
2 | - | webmail.smscs.com | 沪ICP备20016480号 | 企业 | 2021-02-22 |
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