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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	TSINSIC	09类-科学仪器	57075752	等待实质审查	2021-06-21	查看

专利信息20

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法	发明专利	CN201710781879.1	CN107731893B	2020-02-11
2	一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法	发明专利	CN201710781881.9	CN107731894B	2020-02-07
3	一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法	发明专利	CN201710781882.3	CN107731912B	2019-10-29
4	一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法	发明专利	CN201710781811.3	CN107611022B	2019-10-29
5	一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781886.1	CN107731923B	2019-09-03
6	一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781884.2	CN107623043B	2019-06-14
7	一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781876.8	CN107482062B	2019-06-04
8	一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781878.7	CN107731922B	2019-05-21
9	一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781888.0	CN107658340B	2019-05-21
10	一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法	发明专利	CN201710781880.4	CN107658214B	2019-05-07

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序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	清芯半导体科技有限公司	www.tsinsicsemi.com	粤ICP备2020138822号	企业	2020-12-25

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