商标信息3
专利信息72
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 具有梯度结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法 | 发明专利 | CN201510174969.5 | CN104779309B | 2018-05-18 |
2 | 具有梯度结构的碲化镉薄膜太阳能电池及其制造方法 | 发明专利 | CN201510174737.X | CN104851931B | 2017-10-31 |
3 | 一种具有梯度结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | CN201510174947.9 | CN104766896B | 2017-10-31 |
4 | 具有过渡层的晶硅及硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | CN201410704767.2 | CN104576801B | 2017-09-01 |
5 | 具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | CN201410699067.9 | CN104505418B | 2017-08-11 |
6 | 一种弥补多结多叠层的薄膜太阳能电池微晶硅缺陷的太阳能电池及方法 | 发明专利 | CN201510069037.4 | CN104716220B | 2017-08-04 |
7 | 一种多结多叠层碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | CN201510741161.0 | CN105355699B | 2017-07-11 |
8 | 多结多叠层硅基薄膜太阳能电池及其制造工艺 | 发明专利 | CN201310588781.6 | CN103594536B | 2017-04-19 |
9 | 具有量子阱结构的硅基薄膜太阳能电池及其制造方法 | 发明专利 | CN201510076532.8 | CN104733548B | 2017-03-01 |
10 | 具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法 | 发明专利 | CN201410699068.3 | CN104505419B | 2017-01-11 |
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