商标信息5
专利信息12
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
---|---|---|---|---|---|
1 | 一种MOSFET封装结构 | 实用新型 | CN202120976008.7 | CN215418164U | 2022-01-04 |
2 | 沟槽MOSFET接触件 | 实用新型 | CN202120975930.4 | CN214588834U | 2021-11-02 |
3 | 一种三极管封装结构 | 实用新型 | CN202120977117.0 | CN214588816U | 2021-11-02 |
4 | 一种高性能MOSFET测试装置 | 实用新型 | CN202022378996.3 | CN213482374U | 2021-06-18 |
5 | 一种高性能二极管加工用测试装置 | 实用新型 | CN202022379054.7 | CN213457222U | 2021-06-15 |
6 | 一种三极管测试座 | 实用新型 | CN202022379011.9 | CN213457221U | 2021-06-15 |
7 | 高性能三极管电源控制芯片 | 实用新型 | CN202022368693.3 | CN213304104U | 2021-05-28 |
8 | 一种二极管封装结构 | 实用新型 | CN202022368740.4 | CN213304075U | 2021-05-28 |
9 | 一种高性能激光二极管驱动芯片 | 实用新型 | CN202022368713.7 | CN213125052U | 2021-05-04 |
10 | 高性能MOSFET过压保护芯片 | 实用新型 | CN202022371450.5 | CN212934597U | 2021-04-09 |
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