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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种发光二极管外延结构	发明专利	CN03138762.4	CN100477298C	2009-04-08
2	铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法	发明专利	CN200410036170.1	CN100472719C	2009-03-25
3	一种表面增透发光二极管	发明专利	CN03138956.2	CN100463234C	2009-02-18
4	一种氮化物器件倒装的方法	发明专利	CN03138894.9	CN100395897C	2008-06-18
5	一种可用于发光二极管的布拉格反射体结构	发明专利	CN03138854.X	CN100372134C	2008-02-27
6	360°出光LED灯	实用新型	CN200620010576.7	CN201007995Y	2008-01-16
7	一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法	发明专利	CN02108834.9	CN1279585C	2006-10-11
8	用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构	发明专利	CN200410036171.6	CN1767217A	2006-05-03
9	一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法	发明专利	CN200410036172.0	CN1767153A	2006-05-03
10	铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法	发明专利	CN200410036170.1	CN1767152A	2006-05-03

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