商标信息0
专利信息28
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610945995.8 | CN106785919B | 2020-05-26 |
2 | 半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610363086.3 | CN106785912B | 2020-04-10 |
3 | InAlGaN系列合金材料的制备方法 | 发明专利 | CN201510990660.3 | CN106756875B | 2020-02-04 |
4 | 脊形阵列半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610578278.6 | CN107645121B | 2019-12-20 |
5 | 脊形半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610583933.7 | CN107645122B | 2019-09-20 |
6 | 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 | 发明专利 | CN201510953170.6 | CN106898948B | 2019-05-31 |
7 | 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201410120399.7 | CN104953467B | 2019-02-12 |
8 | 具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法 | 发明专利 | CN201510067685.6 | CN105990477B | 2018-08-10 |
9 | 脊形半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610583933.7 | CN107645122A | 2018-01-30 |
10 | 脊形阵列半导体激光器及其制作方法 | 发明专利 | CN201610578278.6 | CN107645121A | 2018-01-30 |
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