商标信息1
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | SUNNYCHIP | 09类-科学仪器 | 41058015 | 商标已注册 | 2019-09-16 | 查看 |
专利信息41
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种具有抑制振荡效果的IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202110645399.9 | CN113257902A | 2021-08-13 |
2 | 一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法 | 发明专利 | CN202010653924.7 | CN111933604B | 2021-07-27 |
3 | 一种低导通压降的绝缘栅双极晶体管及其制备方法 | 发明专利 | CN201810570229.7 | CN108807501B | 2021-05-25 |
4 | 一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管芯片 | 发明专利 | CN202010507601.7 | CN111682069B | 2021-04-09 |
5 | 一种SiCMOSFET模块陶瓷覆铜板结构 | 实用新型 | CN202021151093.5 | CN212485324U | 2021-02-05 |
6 | 一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路及方法 | 发明专利 | CN202010519479.5 | CN111600503B | 2020-12-15 |
7 | 一种用于防止ARM SHORT现象的逆变电路及方法 | 发明专利 | CN202010519479.5 | CN111600503A | 2020-12-15 |
8 | 一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法 | 发明专利 | CN202010653924.7 | CN111933604A | 2020-11-13 |
9 | 一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202010702279.3 | CN111739940B | 2020-10-02 |
10 | 一种沟槽型IGBT器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202010702279.3 | CN111739940A | 2020-10-02 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 南京晟芯半导体有限公司 | www.shengxinsemi.com | 苏ICP备14052392号 | 企业 | 2018-09-26 |
2 | 南京晟芯半导体有限公司 | www.shengxinsemi.com | 苏ICP备14052392号 | 企业 | 2018-09-26 |
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