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地址：中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室

商标信息 1
专利信息 13
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作品著作权 0
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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	图形	09类-科学仪器	13633464	商标已注册	2013-11-29	查看

专利信息13

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种超结IGBT器件结构	实用新型	CN201821740353.5	CN208819886U	2019-05-03
2	一种超结IGBT器件结构及其制造方法	发明专利	CN201811251706.X	CN109300978A	2019-02-01
3	一种N层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构	实用新型	CN201720464757.5	CN207183272U	2018-04-03
4	一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构	实用新型	CN201720464756.0	CN207183271U	2018-04-03
5	发光二极管交流驱动电路	实用新型	CN201720464722.1	CN206879140U	2018-01-12
6	场效应晶体管充电电路	实用新型	CN201720464723.6	CN206878531U	2018-01-12
7	场效应管	实用新型	CN201720466945.1	CN206878005U	2018-01-12
8	低功率超结金属栅场效应晶体管	实用新型	CN201720465949.8	CN206878004U	2018-01-12
9	改良型低功率超结金属栅场效应晶体管	实用新型	CN201720465976.5	CN206878000U	2018-01-12
10	超结金属栅场效应晶体管	实用新型	CN201720464754.1	CN206877996U	2018-01-12

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