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商标信息1

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	CPEC	-	5230614	等待实质审查	2006-03-22	查看

专利信息23

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管	实用新型	CN201320360360.3	CN203553174U	2014-04-16
2	量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构	实用新型	CN201320254968.8	CN203277388U	2013-11-06
3	一种功率MOSFET的沟槽终端结构	实用新型	CN201320254969.2	CN203260588U	2013-10-30
4	可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法	发明专利	CN201310250184.2	CN103346167A	2013-10-09
5	一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法	发明专利	CN201310173433.2	CN103295911A	2013-09-11
6	量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构及制造方法	发明专利	CN201310173432.8	CN103280452A	2013-09-04
7	一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管	实用新型	CN201220433435.1	CN202758892U	2013-02-27
8	一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源	发明专利	CN201110033087.9	CN102053645B	2013-01-16
9	一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法	发明专利	CN201210311691.8	CN102856385A	2013-01-02
10	沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法	发明专利	CN201110027235.6	CN102110717B	2013-01-02

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