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官网： www.jscj-elec.com

地址：中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼

商标信息 22
专利信息 50
软件著作权 0
作品著作权 1
网站备案 2

商标信息22

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	长晶科技	09类-科学仪器	51672045	等待实质审查	2020-11-27	查看
2	J JSCJ	42类-网站服务	47046362	商标已注册	2020-06-08	查看
3	JSCJ	09类-科学仪器	47045993	商标已注册	2020-06-08	查看
4	JSCJ	35类-广告销售	47042672	等待实质审查	2020-06-08	查看
5	长晶科技;CHANGJING ELEC TECH	42类-网站服务	46199327	等待实质审查	2020-05-11	查看
6	长晶科技;CHANGJING ELEC TECH	35类-广告销售	46182003	商标无效	2020-05-11	查看
7	长晶科技;CHANGJING ELEC TECH	09类-科学仪器	46177904	等待实质审查	2020-05-11	查看
8	图形	35类-广告销售	39990983	商标无效	2019-07-29	查看
9	图形	42类-网站服务	39985796	商标无效	2019-07-29	查看
10	CJ	09类-科学仪器	39985366	商标无效	2019-07-29	查看

专利信息50

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种3D堆叠且背部导出的扇出型封装结构及其制造方法	发明专利	CN202110759529.1	CN113257778B	2021-09-24
2	一种3D堆叠且背部导出的扇出型封装结构及其制造方法	发明专利	CN202110759529.1	CN113257778A	2021-09-24
3	一种屏蔽栅沟槽型MOSFET结构及其制造方法	发明专利	CN202110822237.8	CN113284953A	2021-08-20
4	一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路	发明专利	CN202110574779.8	CN113258641A	2021-08-13
5	一种3D堆叠且背部导出的扇出型封装结构及其制造方法	发明专利	CN202110759529.1	CN113257778A	2021-08-13
6	一种屏蔽栅-沟槽型MOSFET的结构及其制造方法	发明专利	CN202110355178.8	CN112736138A	2021-04-30
7	改善低压差线性稳压器全负载稳定性的补偿方法及其电路	发明专利	CN202010452401.6	CN111367345B	2021-04-20
8	一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构	发明专利	CN202011087314.1	CN111933529B	2020-11-13
9	一种沟槽型MOSFET的制造方法及其结构	发明专利	CN202011087314.1	CN111933529A	2020-11-13
10	屏蔽栅沟槽MOSFET及其制备方法、电子设备	发明专利	CN202010906159.5	CN111834463A	2020-10-27

软件著作权0

暂无信息

暂无软件著作权

作品著作权1

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	长晶科技（9）	-	国作登字-2019-F-00883691	-	2019	2019

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	江苏长晶科技有限公司官网	www.jscj-elec.com	苏ICP备19025516号	企业	2019-05-22
2	江苏长晶科技有限公司官网	www.jscj-elec.com	苏ICP备19025516号	企业	2019-05-22

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