商标信息1
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | 亚芯科技园 | - | 56749220 | 初审公告 | 2021-06-08 | 查看 |
专利信息21
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 大尺寸高熵高纯度难熔金属合金溅射靶材及其制备工艺 | 发明专利 | CN202210072452.5 | CN114525485A | 2022-05-24 |
2 | 集成电路芯片用大尺寸超高纯钒溅射靶材及其制备工艺 | 发明专利 | CN202210072450.6 | CN114438472A | 2022-05-06 |
3 | 用于制备难熔高熵合金靶材的CVD系统及其控制方法 | 发明专利 | CN202210093649.7 | CN114411113A | 2022-04-29 |
4 | 大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺 | 发明专利 | CN202111621882.X | CN114318256A | 2022-04-12 |
5 | 高熵合金旋转靶材及其冷喷涂的制备方法 | 发明专利 | CN202111433186.6 | CN114086142A | 2022-02-25 |
6 | 一种用于高纯钨坯体制备的尾气处理系统 | 实用新型 | CN202022220865.2 | CN214020071U | 2021-08-24 |
7 | 高纯度钛粉、钨钛合金溅射靶材的制备方法及系统 | 发明专利 | CN202110553332.2 | CN113275589A | 2021-08-20 |
8 | 一种倒装键合机用加压机构 | 实用新型 | CN202022196925.1 | CN213702415U | 2021-07-16 |
9 | 一种精密真空镀膜系统 | 实用新型 | CN202022197303.0 | CN213327812U | 2021-06-01 |
10 | 一种高纯钨坯体制备系统 | 实用新型 | CN202022193448.3 | CN213327763U | 2021-06-01 |
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