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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件	实用新型	CN202120092933.3	CN214226914U	2021-09-17
2	一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法	发明专利	CN202110589057.X	CN113314592A	2021-08-27
3	一种具有超高隔离电压的智能型超结MOS及其制造方法	发明专利	CN202110532789.5	CN113241371A	2021-08-10
4	一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法	发明专利	CN202110115394.5	CN112909075A	2021-06-04
5	一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件及其制造方法	发明专利	CN202110046715.0	CN112786684A	2021-05-11
6	一种沟槽终端结构及其制备方法	发明专利	CN202110023025.3	CN112768506A	2021-05-07

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