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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种基于TFET的主从触发器	发明专利	CN202111307187.6	CN114050807A	2022-02-15
2	一种改善RRAM随机性的阻变存储单元及其制备方法	发明专利	CN202111131696.8	CN113948637A	2022-01-18
3	一种8T2R非易失SRAM单元电路	发明专利	CN202111064230.0	CN113921058A	2022-01-11
4	一种在内存中实现迭代式异或计算的8TSRAM电路结构	发明专利	CN202111150160.0	CN113921057A	2022-01-11
5	一种14T抗辐照SRAM存储单元电路	发明专利	CN202111010201.6	CN113764009A	2021-12-07
6	一种用于DRAM非易失存内计算的电路	发明专利	CN202110846566.6	CN113658628A	2021-11-16
7	一种能区分阻态交叉的10T4R单元电路	发明专利	CN202110845112.7	CN113658627A	2021-11-16
8	一种高速低功耗的双尾电流动态比较器电路	发明专利	CN202110943715.0	CN113472327A	2021-10-01
9	一种强锁存结构的D触发器电路	发明专利	CN202110921437.9	CN113472323A	2021-10-01

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