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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种半导体功率器件用衬底硅片及其制造工艺	发明专利	CN200810205212.8	CN101465290B	2010-11-17
2	一种半导体功率器件用衬底硅片	实用新型	CN200820208572.9	CN201332099Y	2009-10-21
3	一种半导体功率器件用衬底硅片及其制造工艺	发明专利	CN200810205212.8	CN101465290A	2009-06-24
4	采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺	发明专利	CN200710037559.1	CN100477270C	2009-04-08
5	一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件	实用新型	CN200720067356.2	CN201017890Y	2008-02-06
6	采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件	实用新型	CN200720067355.8	CN201017889Y	2008-02-06
7	采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺	发明专利	CN200710037559.1	CN101017850A	2007-08-15
8	一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺	发明专利	CN200710037558.7	CN101017849A	2007-08-15

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