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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件	发明专利	CN202011595232.8	CN112688157A	2021-04-20
2	单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器	发明专利	CN202011550954.1	CN112670356A	2021-04-16
3	InAs/InAsSbII类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器	发明专利	CN202011445045.1	CN112563352A	2021-03-26
4	垂直型III-V族超晶格材料、具有超晶格分布的InGaAsSb四元合金及制备方法	发明专利	CN202010846114.3	CN111934200A	2020-11-13
5	嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器	发明专利	CN202010822697.6	CN111916511A	2020-11-10
6	半导体材料及其制备方法和应用、激光器、光电探测器	发明专利	CN202010445691.1	CN111584657A	2020-08-25

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