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官网： www.novusem.com

地址：中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号

商标信息 15
专利信息 34
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 2

商标信息15

序号	商标	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	D	DURASIC	09类-科学仪器	54131001	商标已注册	2021-03-08	查看
2	N	NOVUPOWER	09类-科学仪器	54130953	初审公告	2021-03-08	查看
3	M	MCR	09类-科学仪器	54107158	初审公告	2021-03-08	查看
4	N	NOVUSEM	35类-广告销售	47660719	商标已注册	2020-06-29	查看
5	N	NOVUSIC	09类-科学仪器	47656126	商标已注册	2020-06-29	查看
6	N	NOVUSIC	42类-网站服务	47651967	商标已注册	2020-06-29	查看
7	图	图形	42类-网站服务	47651033	商标已注册	2020-06-29	查看
8	图	图形	09类-科学仪器	47649833	商标已注册	2020-06-29	查看
9	图	图形	35类-广告销售	47644894	商标已注册	2020-06-29	查看
10	蓉	蓉矽	35类-广告销售	47644886	商标已注册	2020-06-29	查看

专利信息34

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET	发明专利	CN202210441140.7	CN114551601B	2022-07-15
2	集成栅控二极管的碳化硅分离栅MOSFET元胞及制备方法	发明专利	CN202210451101.5	CN114551586B	2022-07-12
3	一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管	发明专利	CN202210441706.6	CN114551576B	2022-07-01
4	一种集成栅控二极管的碳化硅MOSFET元胞版图结构	发明专利	CN202210525778.9	CN114628497A	2022-06-14
5	高抗浪涌电流能力的集成栅控二极管的碳化硅MOSFET	发明专利	CN202210441140.7	CN114551601A	2022-05-27
6	集成栅控二极管的碳化硅分离栅MOSFET元胞及制备方法	发明专利	CN202210451101.5	CN114551586A	2022-05-27
7	一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管	发明专利	CN202210441706.6	CN114551576A	2022-05-27
8	集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及制备方法	发明专利	CN202210090837.4	CN114122123B	2022-04-22
9	集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及制备方法	发明专利	CN202210090837.4	CN114122123A	2022-03-01
10	栅控二极管整流器	发明专利	CN202111389575.3	CN113823679A	2021-12-21

软件著作权0

暂无信息

暂无软件著作权

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	-	www.novusem.com	蜀ICP备20024444号	企业	2022-01-12
2	蓉矽半导体公司官网	www.novusem.com	蜀ICP备20024444号	企业	2020-08-10

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