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  • 意发功率

    德兴市意发功率半导体有限公司

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    • 地址:江西省上饶市德兴市高新技术产业园
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    • 专利信息 20
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    专利信息20

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种复合式钝化膜 实用新型 CN202120217286.4 CN214956754U 2021-11-30
    2 一种双面散热半导体IGBT管 实用新型 CN202120214287.3 CN214313602U 2021-09-28
    3 一种Si衬底-GAM外延的IGBT半导体器件 实用新型 CN202120214329.3 CN214313186U 2021-09-28
    4 一种基于N型注入层的IGBT芯片 实用新型 CN202120212809.6 CN214279971U 2021-09-24
    5 一种复合式钝化膜及其制作方法 发明专利 CN202110104053.8 CN113436959A 2021-09-24
    6 一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置 发明专利 CN202110105119.5 CN112885723A 2021-06-01
    7 一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构 实用新型 CN201921929809.7 CN211017015U 2020-07-14
    8 一种便携式半导体分立器件测试装置 实用新型 CN201921929915.5 CN211014352U 2020-07-14
    9 一种便于使用的半导体模块测试装置 实用新型 CN201921939257.8 CN210879552U 2020-06-30
    10 一种MOS器件针脚折弯装置 实用新型 CN201921929807.8 CN210789011U 2020-06-19

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