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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种适用于WLCSP芯片的封装结构	实用新型	CN202120496794.0	CN214705919U	2021-11-12
2	一种降低WLCSP芯片的RDSON的阻值的方法	发明专利	CN202110720201.9	CN113555289A	2021-10-26
3	一种适用于WLCSP芯片的封装结构	发明专利	CN202110254374.6	CN112928102A	2021-06-08
4	超结碳化硅肖特基二极管	发明专利	CN202010582122.1	CN111755531A	2020-10-09
5	可双面散热的功率元件	实用新型	CN201921029807.2	CN210182365U	2020-03-24
6	一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管	发明专利	CN201710792562.8	CN107591455B	2020-02-18
7	一种碳化硅结势垒二极管	发明专利	CN201710749274.4	CN107393970B	2020-02-14
8	可双面散热的功率元件	发明专利	CN201910594030.2	CN110429070A	2019-11-08
9	一种带有屏蔽栅的超结IGBT	实用新型	CN201821366866.4	CN208674122U	2019-03-29
10	一种带有屏蔽栅的超结IGBT及其制造方法	发明专利	CN201810968433.4	CN109037312A	2018-12-18

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