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  • 中合博芯

    中合博芯(重庆)半导体有限公司

    存续
    • 地址:重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
    • 简介:-
    • 商标信息 1
    • 专利信息 23
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息1

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 BOSEMI - 40878743 商标无效 2019-09-06 查看

    专利信息23

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种NPN型横向SOIAlGaN/SiHBT器件结构 实用新型 CN202020083895.0 CN211743162U 2020-10-23
    2 一种NPN型横向GaN/SiGeHBT器件结构 实用新型 CN202020083894.6 CN211182211U 2020-08-04
    3 一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器 实用新型 CN202020137938.9 CN211088741U 2020-07-24
    4 一种基于液晶结构的可调垂直腔面发射激光器 实用新型 CN202020137498.7 CN211063049U 2020-07-21
    5 一种可调出光波长的异质结垂直腔面发射激光器 实用新型 CN202020137430.9 CN211063048U 2020-07-21
    6 一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构及其制备方法 发明专利 CN202010042636.8 CN111129120A 2020-05-08
    7 一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法 发明专利 CN202010042610.3 CN111106164A 2020-05-05
    8 PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 实用新型 CN201922274452.X CN210110780U 2020-02-21
    9 NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 实用新型 CN201922274451.5 CN210110779U 2020-02-21
    10 一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器 实用新型 CN201922211427.7 CN210074423U 2020-02-14

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