商标信息1
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | BOSEMI | - | 40878743 | 商标无效 | 2019-09-06 | 查看 |
专利信息23
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
---|---|---|---|---|---|
1 | 一种NPN型横向SOIAlGaN/SiHBT器件结构 | 实用新型 | CN202020083895.0 | CN211743162U | 2020-10-23 |
2 | 一种NPN型横向GaN/SiGeHBT器件结构 | 实用新型 | CN202020083894.6 | CN211182211U | 2020-08-04 |
3 | 一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN202020137938.9 | CN211088741U | 2020-07-24 |
4 | 一种基于液晶结构的可调垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN202020137498.7 | CN211063049U | 2020-07-21 |
5 | 一种可调出光波长的异质结垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN202020137430.9 | CN211063048U | 2020-07-21 |
6 | 一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构及其制备方法 | 发明专利 | CN202010042636.8 | CN111129120A | 2020-05-08 |
7 | 一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法 | 发明专利 | CN202010042610.3 | CN111106164A | 2020-05-05 |
8 | PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 | 实用新型 | CN201922274452.X | CN210110780U | 2020-02-21 |
9 | NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 | 实用新型 | CN201922274451.5 | CN210110779U | 2020-02-21 |
10 | 一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN201922211427.7 | CN210074423U | 2020-02-14 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案0
邮箱
电话
企业联系方式
关注公众号,免费查看企业全部联系方式
请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」
满商公司网
2亿企业免费查
企业信息变动早知道
欢迎登录
没有账户?立即注册
获取验证码
找回密码
返回登录
欢迎登录
返回登录
获取验证码