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    武汉置富半导体技术有限公司

    存续
    • 官网:-
    • 地址:武汉东湖新技术开发区佳园路11号科研楼6-12层高新楼8楼806-807室
    • 简介:-
    • 商标信息 1
    • 专利信息 18
    • 软件著作权 19
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息1

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 忆闪 09类-科学仪器 43474776 商标已注册 2019-12-31 查看

    专利信息18

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种基于操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法及测试装置 发明专利 CN201810502719.3 CN108831517B 2021-04-27
    2 一种基于深度学习的闪存寿命预测方法、系统及计算机可读存取介质 发明专利 CN201811545446.7 CN109817267B 2021-02-26
    3 一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及系统 发明专利 CN201811544548.7 CN109815534B 2020-09-04
    4 一种高效可拓展闪存测试装置 实用新型 CN202020109129.7 CN211016548U 2020-07-14
    5 一种高低温闪存测试系统 实用新型 CN202020107790.4 CN211016547U 2020-07-14
    6 一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质 发明专利 CN201811545443.3 CN109830255B 2019-05-31
    7 一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质 发明专利 CN201811545443.3 CN109830255A 2019-05-31
    8 一种闪存寿命预测方法、系统、存储介质 发明专利 CN201811544535.X CN109830254A 2019-05-31
    9 一种基于深度学习的闪存寿命预测方法、系统及计算机可读存取介质 发明专利 CN201811545446.7 CN109817267A 2019-05-28
    10 一种基于决策树算法的闪存寿命预测方法及装置 发明专利 CN201811544548.7 CN109815534A 2019-05-28

    软件著作权19

    序号 软件名称 软件简称 版本号 登记号 分类号 首次发表日期 登记批准日期
    1 闪存芯片硬件交互处理系统 - V1.0 2021SR2155761 - 2021-10-11 2021-12-26
    2 NAND闪存自动化测试分类与寿命预测系统 - V2.0 2021SR2155391 - 2021-09-30 2021-12-26
    3 闪存芯片基础测试报告处理系统 - V1.0 2021SR2155390 - 2021-10-11 2021-12-26
    4 闪存芯片智能测试数据处理系统 - V1.0 2021SR2145057 - 2021-10-11 2021-12-26
    5 闪存筛选方法软件 - V1.0.0 2019SR1291926 10100-0000 - 2019-12-05
    6 NAND闪存P/E测试系统 FT-P/E V1.0 2019SR1291925 10100-0000 - 2019-12-05
    7 NAND闪存测试平台USB传输系统 USB传输系统 V1.0 2019SR1288171 10100-0000 - 2019-12-05
    8 忆数NAND FLASH测试系统_FPGA SPI NAND FLASH控制器软件 RECADATA_SPI_NAND_CTRL V1.0.0 2019SR1286966 10100-0000 - 2019-12-05
    9 基于基因编程算法的闪存寿命预测软件 闪存寿命预测软件 V1.0 2019SR1283629 30200-0000 - 2019-12-04
    10 NAND闪存数据保持测试分类与筛选系统 - V1.0 2019SR1283620 30200-0000 - 2019-12-04

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案0

    暂无信息 暂无网站备案
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