商标信息5
专利信息6
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 可提高GaN器件可靠性的器件结构 | 实用新型 | CN202020474428.0 | CN211455693U | 2020-09-08 |
2 | 可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构 | 实用新型 | CN202020472202.7 | CN211455673U | 2020-09-08 |
3 | 氮化镓MISHEMT结构 | 实用新型 | CN202020496854.4 | CN211455647U | 2020-09-08 |
4 | 便于后续加工的GaN器件晶圆结构 | 实用新型 | CN202020472201.2 | CN211350655U | 2020-08-25 |
5 | 基于GaN材料的半导体器件材料层结构以及GaN器件 | 实用新型 | CN202020475491.6 | CN211320109U | 2020-08-21 |
6 | 氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构 | 发明专利 | CN202010265918.4 | CN111341660A | 2020-06-26 |
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