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  • 赛晶电子

    杭州赛晶电子有限公司

    存续
    • 官网:-
    • 地址:萧山区靖江街道和顺村黎明社区
    • 简介:-
    • 商标信息 2
    • 专利信息 11
    • 软件著作权 4
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息2

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 赛晶 09类-科学仪器 62856842 等待实质审查 2022-02-25 查看
    2 赛晶 09类-科学仪器 40188213 商标已注册 2019-08-07 查看

    专利信息11

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法 发明专利 CN202111474738.8 CN114171605A 2022-03-11
    2 异型杂质扩散对接的P+N+型低压硅扩散片及其硅二极管 发明专利 CN201811087458.X CN109216471A 2019-01-15
    3 一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法 发明专利 CN201710108976.4 CN106653865B 2018-11-09
    4 一种锥形槽面硅二极管及其芯片 实用新型 CN201721806336.2 CN207572371U 2018-07-03
    5 切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法 发明专利 CN201711395393.0 CN108122755B 2018-06-05
    6 切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法 发明专利 CN201711395393.0 CN108122755A 2018-06-05
    7 一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯 实用新型 CN201720180300.1 CN206524335U 2017-09-26
    8 一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法 发明专利 CN201710108976.4 CN106653865A 2017-05-10
    9 一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯和制造方法 发明专利 CN201710108967.5 CN106653864A 2017-05-10
    10 一种U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和硅扩散晶圆片 实用新型 CN201620601264.7 CN205692839U 2016-11-16

    软件著作权4

    序号 软件名称 软件简称 版本号 登记号 分类号 首次发表日期 登记批准日期
    1 双极型扩散抛光片ANT07 BJT13007产品PPAP认证系统 - V1.0 2020SR1618878 - - 2020-11-20
    2 片式二极管芯片生产批号ACCESS管理系统 - V1.0 2018SR555422 30200-0000 2018-02-12 2018-07-16
    3 片式二极管扩散片生产MES制造管理系统 - V1.0 2018SR555417 30200-0000 2017-12-25 2018-07-16
    4 双极扩散抛光片扩散浓度SPC控制系统 - V1.0 2018SR553948 10100-0000 2018-04-23 2018-07-16

    作品著作权0

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    网站备案0

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