商标信息2
专利信息11
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法 | 发明专利 | CN202111474738.8 | CN114171605A | 2022-03-11 |
2 | 异型杂质扩散对接的P+N+型低压硅扩散片及其硅二极管 | 发明专利 | CN201811087458.X | CN109216471A | 2019-01-15 |
3 | 一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法 | 发明专利 | CN201710108976.4 | CN106653865B | 2018-11-09 |
4 | 一种锥形槽面硅二极管及其芯片 | 实用新型 | CN201721806336.2 | CN207572371U | 2018-07-03 |
5 | 切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法 | 发明专利 | CN201711395393.0 | CN108122755B | 2018-06-05 |
6 | 切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法 | 发明专利 | CN201711395393.0 | CN108122755A | 2018-06-05 |
7 | 一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯 | 实用新型 | CN201720180300.1 | CN206524335U | 2017-09-26 |
8 | 一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法 | 发明专利 | CN201710108976.4 | CN106653865A | 2017-05-10 |
9 | 一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯和制造方法 | 发明专利 | CN201710108967.5 | CN106653864A | 2017-05-10 |
10 | 一种U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和硅扩散晶圆片 | 实用新型 | CN201620601264.7 | CN205692839U | 2016-11-16 |
软件著作权4
序号 | 软件名称 | 软件简称 | 版本号 | 登记号 | 分类号 | 首次发表日期 | 登记批准日期 |
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1 | 双极型扩散抛光片ANT07 BJT13007产品PPAP认证系统 | - | V1.0 | 2020SR1618878 | - | - | 2020-11-20 |
2 | 片式二极管芯片生产批号ACCESS管理系统 | - | V1.0 | 2018SR555422 | 30200-0000 | 2018-02-12 | 2018-07-16 |
3 | 片式二极管扩散片生产MES制造管理系统 | - | V1.0 | 2018SR555417 | 30200-0000 | 2017-12-25 | 2018-07-16 |
4 | 双极扩散抛光片扩散浓度SPC控制系统 | - | V1.0 | 2018SR553948 | 10100-0000 | 2018-04-23 | 2018-07-16 |
作品著作权0
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