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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法	发明专利	CN201510953170.6	CN106898948B	2019-05-31
2	半导体激光二极管及其封装方法	发明专利	CN201310394933.9	CN104426050B	2018-07-06
3	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法	发明专利	CN201510953170.6	CN106898948A	2017-06-27
4	一种半导体激光器退化机制的检测方法	发明专利	CN201410835806.2	CN105807197A	2016-07-27
5	半导体激光二极管及其封装方法	发明专利	CN201310394933.9	CN104426050A	2015-03-18
6	一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法	发明专利	CN201210012562.9	CN102545058B	2013-10-09
7	氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法	发明专利	CN201110208967.5	CN102299482B	2013-06-19
8	一种氮化物半导体激光器	发明专利	CN201210012561.4	CN102570308A	2012-07-11
9	一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法	发明专利	CN201210012562.9	CN102545058A	2012-07-04
10	一种氮化镓基激光器管芯的制备方法	发明专利	CN201210012559.7	CN102545051A	2012-07-04

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