商标信息0
专利信息16
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种高质量SiC单晶片及其制备方法 | 发明专利 | CN201911380293.X | CN113046825A | 2021-06-29 |
2 | 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法 | 发明专利 | CN201911356607.2 | CN113026093A | 2021-06-25 |
3 | 一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用 | 发明专利 | CN202011535254.5 | CN112779603A | 2021-05-11 |
4 | 一种导电型碳化硅单晶及其制备方法 | 发明专利 | CN202011536526.3 | CN112725893A | 2021-04-30 |
5 | 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶 | 发明专利 | CN201911380301.0 | CN110983434B | 2021-04-16 |
6 | 一种位错检测系统 | 发明专利 | CN202011411979.3 | CN112557402A | 2021-03-26 |
7 | 一种大尺寸晶片加工用抛光液循环装置和方法 | 发明专利 | CN201911377667.2 | CN111015500A | 2020-04-17 |
8 | 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶 | 发明专利 | CN201911380301.0 | CN110983434A | 2020-04-10 |
9 | 一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法 | 发明专利 | CN201811533723.2 | CN110592672B | 2019-12-20 |
10 | 一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法 | 发明专利 | CN201811533723.2 | CN110592672A | 2019-12-20 |
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