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  • 天科合达

    北京天科合达新材料有限公司

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    • 地址:北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣街9号
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    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息0

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    专利信息16

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种高质量SiC单晶片及其制备方法 发明专利 CN201911380293.X CN113046825A 2021-06-29
    2 一种电阻率均匀的半绝缘型碳化硅晶片及其制备方法 发明专利 CN201911356607.2 CN113026093A 2021-06-25
    3 一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用 发明专利 CN202011535254.5 CN112779603A 2021-05-11
    4 一种导电型碳化硅单晶及其制备方法 发明专利 CN202011536526.3 CN112725893A 2021-04-30
    5 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶 发明专利 CN201911380301.0 CN110983434B 2021-04-16
    6 一种位错检测系统 发明专利 CN202011411979.3 CN112557402A 2021-03-26
    7 一种大尺寸晶片加工用抛光液循环装置和方法 发明专利 CN201911377667.2 CN111015500A 2020-04-17
    8 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法和高质量碳化硅单晶 发明专利 CN201911380301.0 CN110983434A 2020-04-10
    9 一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法 发明专利 CN201811533723.2 CN110592672B 2019-12-20
    10 一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法 发明专利 CN201811533723.2 CN110592672A 2019-12-20

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