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官网： www.marching-power.com

地址：南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座（江宁开发区）

商标信息 5
专利信息 20
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 0

商标信息5

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	MARCHING POWER	09类-科学仪器	58536344	商标申请中	2021-08-17	查看
2	MARCHING POWER	35类-广告销售	52591371	初审公告	2020-12-29	查看
3	MARCHING POWER	42类-网站服务	52587964	初审公告	2020-12-29	查看
4	MARCHING POWER	40类-材料加工	52569588	初审公告	2020-12-29	查看
5	MARCHING POWER	09类-科学仪器	52569587	等待实质审查	2020-12-29	查看

专利信息20

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	能实现高压测试中高压隔离的方法及装置	发明专利	CN201910729780.6	CN110308312B	2021-04-23
2	低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法	发明专利	PCT/CN2020/112957	WO2021057415A1	2021-04-01
3	低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN201910932285.5	CN110600454B	2021-03-23
4	低成本高性能沟槽型功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN202010351900.6	CN111509035A	2020-08-07
5	高压超结衬底的制备方法	发明专利	CN202010284469.8	CN111463262A	2020-07-28
6	逆导型IGBT器件的制造方法	发明专利	CN202010260320.6	CN111415984A	2020-07-14
7	NMOS晶体管结构及其形成方法	发明专利	CN201810017844.5	CN108133955B	2020-07-03
8	低EMI深沟槽隔离平面功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN201910932545.9	CN110676306A	2020-01-10
9	低EMI深沟槽隔离沟槽型功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN201910932285.5	CN110600454A	2019-12-20
10	低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法	发明专利	CN201910729788.2	CN110444583A	2019-11-12

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