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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	MOSFET晶体管	实用新型	CN202022128933.2	CN213459746U	2021-06-15
2	一种SiC IGBT器件	实用新型	CN202022074292.7	CN213459736U	2021-06-15
3	肖特基二极管	实用新型	CN202022128792.4	CN213242560U	2021-05-18
4	一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件	实用新型	CN202022112680.X	CN213212164U	2021-05-14
5	一种带有保护结构的SiC MOSFET器件	实用新型	CN202022073374.X	CN213212163U	2021-05-14
6	肖特基二极管	实用新型	CN202022128795.8	CN213184303U	2021-05-11
7	一种结型场效应晶体管器件及其制备方法	发明专利	CN202011245808.8	CN112289855A	2021-01-29
8	一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件	发明专利	CN202011013819.3	CN112234058A	2021-01-15
9	一种带有保护结构的SiC MOSFET器件	发明专利	CN202010994014.5	CN112234057A	2021-01-15
10	一种SiC IGBT器件及其制备方法	发明专利	CN202010994010.7	CN112216694A	2021-01-12

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