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  • 英特尔

    英特尔半导体(大连)有限公司

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    • 地址:辽宁省大连经济技术开发区淮河东路
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    专利信息19

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 晶圆抛光的抛光压力控制方法、装置和设备 发明专利 CN201910500512.7 CN110193776B 2020-07-03
    2 用于存储器的沟道柱及其制造方法 发明专利 CN201910531021.9 CN110176459B 2020-07-03
    3 用于在晶圆沉积薄膜的设备 发明专利 CN201910582370.3 CN110246788B 2020-05-19
    4 等离子体增强化学气相沉积系统 实用新型 CN201920994978.2 CN210458364U 2020-05-05
    5 用于监控生产设备的运行的方法、装置和系统 发明专利 CN201910554924.9 CN110244677B 2020-03-20
    6 用于半导体制造设备的气体管路控制装置 发明专利 CN201910560512.6 CN110289231B 2019-09-27
    7 用于半导体制造设备的气体管路控制装置 发明专利 CN201910560512.6 CN110289231A 2019-09-27
    8 一种3DNAND存储单元模组、存储器以及制作方法 发明专利 CN201910560500.3 CN110277396B 2019-09-24
    9 一种3D NAND存储单元模组、存储器以及制作方法 发明专利 CN201910560500.3 CN110277396A 2019-09-24
    10 增强半导体蚀刻能力的方法 发明专利 CN201910567610.2 CN110265290B 2019-09-20

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