商标信息0
专利信息30
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种新型DBR结构的VCSEL | 实用新型 | CN201821740060.7 | CN210640483U | 2020-05-29 |
2 | NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201911303100.0 | CN111081769A | 2020-04-28 |
3 | PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 | 实用新型 | CN201922274452.X | CN210110780U | 2020-02-21 |
4 | NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 | 实用新型 | CN201922274451.5 | CN210110779U | 2020-02-21 |
5 | 一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN201922211427.7 | CN210074423U | 2020-02-14 |
6 | 一种新型底发射垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN201922210410.X | CN210074422U | 2020-02-14 |
7 | 一种出光波长可调的垂直腔面发射激光器 | 实用新型 | CN201922210375.1 | CN210074421U | 2020-02-14 |
8 | 一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 | 实用新型 | CN201921823837.0 | CN210073863U | 2020-02-14 |
9 | PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201911303076.0 | CN110797402A | 2020-02-14 |
10 | 台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构 | 实用新型 | CN201921934642.3 | CN209981219U | 2020-01-21 |
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