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  • 中证博芯

    中证博芯(重庆)半导体有限公司

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    • 地址:重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
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    • 作品著作权 0
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    商标信息0

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    专利信息30

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种新型DBR结构的VCSEL 实用新型 CN201821740060.7 CN210640483U 2020-05-29
    2 NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 发明专利 CN201911303100.0 CN111081769A 2020-04-28
    3 PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 实用新型 CN201922274452.X CN210110780U 2020-02-21
    4 NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件 实用新型 CN201922274451.5 CN210110779U 2020-02-21
    5 一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器 实用新型 CN201922211427.7 CN210074423U 2020-02-14
    6 一种新型底发射垂直腔面发射激光器 实用新型 CN201922210410.X CN210074422U 2020-02-14
    7 一种出光波长可调的垂直腔面发射激光器 实用新型 CN201922210375.1 CN210074421U 2020-02-14
    8 一种增强型异质金属栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 实用新型 CN201921823837.0 CN210073863U 2020-02-14
    9 PNP型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及其制备方法 发明专利 CN201911303076.0 CN110797402A 2020-02-14
    10 台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构 实用新型 CN201921934642.3 CN209981219U 2020-01-21

    软件著作权0

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    作品著作权0

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    暂无信息 暂无网站备案
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