深圳佳恩功率半导体有限公司-工商信息-满商公司网

请输入想查询的关键字

查询

退出

头部vip图标

浏览历史

清除

商标信息 0
专利信息 9
软件著作权 0
作品著作权 0
网站备案 0

商标信息0

暂无信息

暂无商标信息

专利信息9

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种降低反向漏电的器件终端结构	实用新型	CN202120075513.4	CN214800129U	2021-11-19
2	一种含P型孤岛的器件结构	实用新型	CN202120093935.4	CN214625019U	2021-11-05
3	一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构	实用新型	CN202120094572.6	CN214204926U	2021-09-14
4	一种降低VDMOS开关时间的器件结构	实用新型	CN202120077275.0	CN213878105U	2021-08-03
5	一种含有ESD保护结构的VDMOS器件	实用新型	CN202120066830.X	CN213878104U	2021-08-03
6	一种多层外延超结结构VDMOS的结构	实用新型	CN202120066156.5	CN213878103U	2021-08-03
7	一种降低JFET区和积累区电阻的VDMOS结构	实用新型	CN202120066155.0	CN213878102U	2021-08-03
8	一种多层外延超结结构VDMOS的结构及其方法	发明专利	CN202110033982.4	CN112614895A	2021-04-06
9	一种降低JFET区和积累区电阻的VDMOS结构及方法	发明专利	CN202110033959.5	CN112614894A	2021-04-06

软件著作权0

暂无信息

暂无软件著作权

作品著作权0

暂无信息

暂无作品著作权

网站备案0

暂无信息

暂无网站备案

vip

企业联系方式

关注公众号，免费查看企业全部联系方式

请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」