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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种新型封装的瞬态电压抑制模块	实用新型	CN202020223441.9	CN211428160U	2020-09-04
2	一种高磷掺杂N型截止环结构的肖特基二极管及制备方法	发明专利	CN202010126659.7	CN111312803A	2020-06-19
3	一种溅射磁控系统	实用新型	CN201920549554.5	CN210012895U	2020-02-04
4	一种二极管浸锡设备	实用新型	CN201920315580.1	CN209487471U	2019-10-11
5	一种高硼掺杂P型衬底TVS器件外延片	实用新型	CN201821665467.8	CN208722885U	2019-04-09
6	一种高压快恢复二极管芯片生产工艺	发明专利	CN201410551171.3	CN104332503B	2019-01-25
7	一种双向低压ESD倒装二极管	实用新型	CN201721904253.7	CN208240680U	2018-12-14
8	一种芯片传送定位装置	实用新型	CN201820034936.X	CN208234090U	2018-12-14
9	一种具有精确定位接送片装置	实用新型	CN201820034942.5	CN207956965U	2018-10-12
10	一种双向低压ESD倒装二极管结构及其制备方法	发明专利	CN201711476209.5	CN108598075A	2018-09-28

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1	桑德斯微电子器件（南京）有限公司	www.sangdest.com.cn	苏ICP备2021042344号	企业	2021-09-23

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