商标信息6
专利信息20
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 功率半导体器件的制备方法 | 发明专利 | CN202010403809.4 | CN111554741A | 2020-08-18 |
2 | 功率半导体器件 | 发明专利 | CN202010403783.3 | CN111554740A | 2020-08-18 |
3 | 耐压终端环结构与功率器件 | 发明专利 | CN201611256023.4 | CN106783959B | 2020-05-22 |
4 | 沟槽式栅极结构IGBT | 发明专利 | CN202010108349.2 | CN111162123A | 2020-05-15 |
5 | 耐压终端环结构与功率器件 | 发明专利 | CN201611256022.X | CN106847878B | 2020-02-21 |
6 | 沟槽式栅极结构IGBT | 发明专利 | CN201910817842.9 | CN110473918A | 2019-11-19 |
7 | 快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法 | 发明专利 | CN201410536362.2 | CN104269445B | 2017-11-10 |
8 | 快恢复二极管及快恢复二极管的制作方法 | 发明专利 | CN201410535524.0 | CN104269444B | 2017-10-17 |
9 | 耐压终端环结构与功率器件 | 发明专利 | CN201611256022.X | CN106847878A | 2017-06-13 |
10 | 耐压终端环结构与功率器件 | 发明专利 | CN201611256023.4 | CN106783959A | 2017-05-31 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 丽晶美能 | www.semicoast.com | 京ICP备18002165号 | 企业 | 2021-09-23 |
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