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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法	发明专利	CN201210563950.6	CN103887331B	2019-04-16
2	高压IGBT器件的VLD终端及其制备方法	发明专利	CN201210563950.6	CN103887331A	2019-04-16
3	一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法	发明专利	CN201210563935.1	CN103887338B	2019-03-01
4	一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法	发明专利	CN201210563935.1	CN103887338A	2019-03-01
5	MEMS阵列电可调谐光衰减器及其制备方法	发明专利	CN201210563668.8	CN103885122B	2019-02-01
6	光纤放大器动态增益斜率均衡器及其制备工艺	发明专利	CN201210563947.4	CN103885177B	2017-09-12
7	光纤放大器动态增益斜率均衡器及其制备工艺	发明专利	CN201210563947.4	CN103885177A	2017-09-12
8	一种微机电六轴惯性传感器	发明专利	CN201210585811.3	CN103900546B	2016-08-03
9	一种微机电六轴惯性传感器	发明专利	CN201210585811.3	CN103900546A	2016-08-03
10	MEMS器件真空封装结构	发明专利	CN201210553014.7	CN103879950B	2016-01-20

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