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    昆山工研院第三代半导体研究院有限公司

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    • 地址:昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼8楼802室
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    专利信息14

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种半导体芯片的封装结构 发明专利 CN201610301601.5 CN106910725B 2019-11-05
    2 高电子迁移率晶体管器件及其制造方法 发明专利 CN201610632720.9 CN106298882B 2019-10-08
    3 一种半导体器件及其制造方法 发明专利 CN201510999747.7 CN105895667B 2019-07-23
    4 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 CN201510278650.7 CN105321993B 2019-03-29
    5 一种半导体芯片的封装结构 发明专利 CN201610301601.5 CN106910725A 2017-06-30
    6 高电子迁移率晶体管器件及其制造方法 发明专利 CN201610632720.9 CN106298882A 2017-01-04
    7 一种半导体器件及其制造方法 发明专利 CN201510999747.7 CN105895667A 2016-08-24
    8 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法 发明专利 CN201410005195.9 CN103713252B 2016-06-01
    9 一种半导体器件及其制备方法 发明专利 CN201510278650.7 CN105321993A 2016-02-10
    10 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 发明专利 CN201110340553.8 CN102361010B 2015-06-10

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