退出

  • 浏览历史
  • 清除
  • 镓特

    镓特半导体科技(上海)有限公司

    存续
    • 地址:中国(上海)自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室
    • 简介:-
    • 商标信息 12
    • 专利信息 84
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 1
    • 网站备案 2

    商标信息12

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 镓特半导体科技(上海)有限公司 11类-灯具空调 48585748 商标无效 2020-07-31 查看
    2 ETARESEARCH 09类-科学仪器 48582144 商标已注册 2020-07-31 查看
    3 ETARESEARCH 11类-灯具空调 48580779 商标已注册 2020-07-31 查看
    4 图形 09类-科学仪器 48579144 商标已注册 2020-07-31 查看
    5 镓特 42类-网站服务 48579027 商标已注册 2020-07-31 查看
    6 ETARESEARCH 42类-网站服务 48576845 商标已注册 2020-07-31 查看
    7 ETARESEARCH 07类-机械设备 48568686 商标已注册 2020-07-31 查看
    8 图形 07类-机械设备 48562674 商标已注册 2020-07-31 查看
    9 图形 11类-灯具空调 48557114 商标无效 2020-07-31 查看
    10 镓特半导体科技(上海)有限公司 09类-科学仪器 48557035 等待实质审查 2020-07-31 查看

    专利信息84

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202110048589.2 CN113161225A 2021-07-23
    2 HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备 发明专利 CN201710403458.5 CN107267960B 2021-07-09
    3 HVPE用气体传输装置、反应腔及HVPE设备 发明专利 CN201710403458.5 CN107267960A 2021-07-09
    4 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202011637943.7 CN112864001A 2021-05-28
    5 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202110049797.4 CN112820636A 2021-05-18
    6 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202110049775.8 CN112820635A 2021-05-18
    7 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202110049774.3 CN112820634A 2021-05-18
    8 氮化镓层及其同质外延生长方法 发明专利 CN202110048565.7 CN112820633A 2021-05-18
    9 半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 发明专利 CN202110048560.4 CN112820632A 2021-05-18
    10 一种石墨烯碳纳米管复合薄膜及其制备方法与应用 发明专利 CN201611022144.2 CN108070891B 2020-08-07

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权1

    序号 作品名 作品类别 登记号 创作完成日期 首次发表日期 登记批准日期
    1 etaresearch - 国作登字-2020-F-01130502 - 2016 2020

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 - www.etaresearch.cn 沪ICP备18006410号 企业 2018-02-26
    2 - www.etaresearch.cn 沪ICP备18006410号 企业 2018-02-26
    vip

    企业联系方式

    关注公众号,免费查看企业全部联系方式

    请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」