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    大庆溢泰半导体材料有限公司

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    专利信息19

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 晶体制备压力容器的压力控制装置 实用新型 CN202121603974.0 CN214896343U 2021-11-26
    2 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 实用新型 CN202120631538.8 CN214529324U 2021-10-29
    3 晶体制备压力容器的压力控制系统 发明专利 CN202110798426.6 CN113502545A 2021-10-15
    4 一种半导体材料的单晶生长装置 实用新型 CN202120255112.7 CN214244664U 2021-09-21
    5 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 发明专利 CN202110330282.1 CN113136616A 2021-07-20
    6 一种半导体化合物材料的单晶生长工艺设备 发明专利 CN202110213776.1 CN113026089A 2021-06-25
    7 一种高纯镓用的储存运输机构 实用新型 CN202020484945.6 CN212606750U 2021-02-26
    8 一种磷化铟生产废水的处理装置 实用新型 CN202020297597.1 CN212292855U 2021-01-05
    9 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉 实用新型 CN202020297577.4 CN212270279U 2021-01-01
    10 一种高纯砷用的提纯装置 实用新型 CN202020484955.X CN212102964U 2020-12-08

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