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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置	发明专利	CN201510023297.8	CN105845798B	2018-10-19
2	一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片的制备方法	发明专利	CN201510349047.3	CN105023984B	2018-06-08
3	一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法	发明专利	CN201510438112.X	CN105047788B	2017-12-01
4	无翘曲Ⅲ族氮化物复合衬底的制备方法和衬底放置装置	发明专利	CN201510023297.8	CN105845798A	2016-08-10
5	GaN基脊型激光二极管的制备方法	发明专利	CN201310665266.3	CN103618212B	2016-03-30
6	一种基于银基金属键合的薄膜结构LED芯片及其制备方法	发明专利	CN201510438112.X	CN105047788A	2015-11-11
7	一种基于GaN厚膜的垂直结构LED芯片及其制备方法	发明专利	CN201510349047.3	CN105023984A	2015-11-04
8	基于原位应力控制的III族氮化物厚膜自分离方法	发明专利	CN201210256655.6	CN102817074B	2015-09-30
9	GaN基脊型激光二极管的制备方法	发明专利	CN201310665266.3	CN103618212A	2014-03-05
10	一种发光二极管的制备方法	发明专利	CN201110196359.7	CN102244162B	2013-03-13

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