商标信息1
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | 图形 | 09类-科学仪器 | 7171592 | 商标无效 | 2009-01-19 | 查看 |
专利信息17
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 沟槽型半导体功率器件 | 实用新型 | CN201220727199.4 | CN203118953U | 2013-08-07 |
2 | 耐高压绝缘栅双极型晶体管 | 实用新型 | CN201220366638.3 | CN202940241U | 2013-05-15 |
3 | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 发明专利 | CN201110239216.X | CN102263129B | 2013-04-03 |
4 | 绝缘栅双极型晶体管 | 发明专利 | CN201210573752.8 | CN102983160A | 2013-03-20 |
5 | 耐高压绝缘栅双极型晶体管 | 发明专利 | CN201210263025.1 | CN102832239A | 2012-12-19 |
6 | 元器件包封结构 | 实用新型 | CN201220164568.3 | CN202585384U | 2012-12-05 |
7 | 元器件包封结构 | 发明专利 | CN201210113861.1 | CN102629595A | 2012-08-08 |
8 | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 实用新型 | CN201120303757.X | CN202189792U | 2012-04-11 |
9 | 低栅电容的绝缘栅双极型晶体管 | 发明专利 | CN201110239216.X | CN102263129A | 2011-11-30 |
10 | 绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法 | 发明专利 | CN200910100775.5 | CN101640186B | 2011-02-16 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 无锡凤凰半导体科技有限公司 | www.phoenix-semi.com | 苏ICP备11031098号 | 企业 | 2015-04-28 |
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