商标信息9
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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1 | FULLSEMI | 40类-材料加工 | 59494360 | 驳回复审中 | 2021-09-26 | 查看 |
2 | 图形 | 40类-材料加工 | 59483761 | 商标已注册 | 2021-09-26 | 查看 |
3 | FULLSEMI | 40类-材料加工 | 59473909 | 驳回复审中 | 2021-09-26 | 查看 |
4 | FULLSEMI | 42类-网站服务 | 55863303 | 商标无效 | 2021-05-07 | 查看 |
5 | FULLSEMI | 09类-科学仪器 | 55852792 | 商标无效 | 2021-05-07 | 查看 |
6 | 图形 | 42类-网站服务 | 55501359 | 驳回复审中 | 2021-04-23 | 查看 |
7 | 图形 | 09类-科学仪器 | 55498491 | 商标已注册 | 2021-04-23 | 查看 |
8 | FULLSEMI | 42类-网站服务 | 55495041 | 商标已注册 | 2021-04-23 | 查看 |
9 | FULLSEMI | 09类-科学仪器 | 55490301 | 商标已注册 | 2021-04-23 | 查看 |
专利信息6
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种晶圆的离子注入方法 | 发明专利 | CN202111539094.6 | CN114334633A | 2022-04-12 |
2 | 监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质 | 发明专利 | CN202111451988.X | CN114324187A | 2022-04-12 |
3 | 半导体工艺方法及适用该半导体工艺方法的多腔室工艺设备 | 发明专利 | CN202111553675.5 | CN114318306A | 2022-04-12 |
4 | 具有MIM电容器的半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202111327784.5 | CN114220917A | 2022-03-22 |
5 | 一种MOS器件及其制作方法 | 发明专利 | CN202111406269.6 | CN114220851A | 2022-03-22 |
6 | 一种沟槽的制备方法 | 发明专利 | CN202111326597.5 | CN114220766A | 2022-03-22 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案2
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 杭州富芯半导体有限公司 | www.fullsemitech.com | 浙ICP备2021028789号 | 企业 | 2021-09-17 |
2 | - | www.fullsemitech.com | 浙ICP备2021028789号 | 企业 | 2021-09-17 |
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