商标信息3
专利信息15
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置 | 发明专利 | CN202110988095.2 | CN113758641A | 2021-12-07 |
2 | 用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、陶瓷盘、化学机械抛光装置 | 发明专利 | CN202110988094.8 | CN113681456A | 2021-11-23 |
3 | 高纯半绝缘SiC单晶的制备方法 | 发明专利 | CN202010691891.5 | CN111893564B | 2021-10-29 |
4 | 一种高质量大直径SiC单晶的制备装置 | 实用新型 | CN202021499230.4 | CN212771047U | 2021-03-23 |
5 | 一种基于可控生长中心制备碳化硅单晶的方法 | 发明专利 | CN201910881831.7 | CN110656376B | 2021-02-26 |
6 | 一种低应力碳化硅单晶的籽晶安装装置及晶体生长工艺 | 发明专利 | CN201910762897.4 | CN110541195B | 2021-02-26 |
7 | 一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置 | 实用新型 | CN202021500700.4 | CN212451746U | 2021-02-02 |
8 | 碳化硅单晶快速扩径生长系统 | 实用新型 | CN202021415249.6 | CN212451745U | 2021-02-02 |
9 | 高纯半绝缘SiC单晶的制备方法 | 发明专利 | CN202010691891.5 | CN111893564A | 2020-11-06 |
10 | 一种碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法 | 发明专利 | CN202010691694.3 | CN111883416A | 2020-11-03 |
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