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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其实现方法	发明专利	CN201610171718.6	CN105720144B	2021-09-24
2	一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其实现方法	发明专利	CN201610171718.6	CN105720144A	2021-09-24
3	一种晶圆级薄膜倒装LED芯片的制备方法	发明专利	CN201410358139.3	CN105280759B	2018-12-14
4	一种高压LED芯片的制备方法	发明专利	CN201410082227.5	CN104900766B	2018-03-27
5	一种GaN基白光倒装芯片的制备方法	发明专利	CN201210561072.4	CN103887218B	2018-03-09
6	一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法	发明专利	CN201510070359.0	CN105990479A	2016-10-05
7	一种氮化镓基发光二极管外延结构	发明专利	CN201510070273.8	CN105990478A	2016-10-05
8	一种硅衬底氮化物紫外LED芯片结构及其实现方法	发明专利	CN201610171718.6	CN105720144A	2016-06-29
9	一种改善硅基氮化物各圈波长均值的石墨盘	实用新型	CN201521133082.3	CN205313714U	2016-06-15
10	一种MOCVD中用于放置硅衬底的石墨盘	实用新型	CN201521131002.0	CN205313713U	2016-06-15

共 6 页

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