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    杭州杭鑫电子工业有限公司

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    • 官网:-
    • 地址:杭州市高新区之江科技工业园软件园7号楼
    • 简介:-
    • 商标信息 2
    • 专利信息 22
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息2

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 杭鑫 09类-科学仪器 3947438 商标已注册 2004-03-09 查看
    2 HANG XIN;H 09类-科学仪器 3947437 商标已注册 2004-03-09 查看

    专利信息22

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法 发明专利 CN201210383748.5 CN102915967A 2013-02-06
    2 一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法 发明专利 CN201110116537.0 CN102194894B 2013-01-02
    3 一种P+、N+型杂质双扩散制造硅二极管的方法 发明专利 CN201210113286.5 CN102646586A 2012-08-22
    4 一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法 发明专利 CN201010589395.5 CN102117806B 2012-07-04
    5 一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法 发明专利 CN201010589316.0 CN102117840B 2012-04-25
    6 一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法 发明专利 CN201110116537.0 CN102194894A 2011-09-21
    7 一种多重金属扩散快恢复二极管及其制备方法 发明专利 CN201010589316.0 CN102117840A 2011-07-06
    8 一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法 发明专利 CN201010589395.5 CN102117806A 2011-07-06
    9 一种硅单晶片制造开放PN结快恢复整流二极管的方法 发明专利 CN200810122087.4 CN101404254B 2011-05-18
    10 一种硅单晶薄片氧化单面预扩散制造晶体管的方法 发明专利 CN200810121643.6 CN101383284B 2010-11-03

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