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  • 芯晶亮

    厦门芯晶亮电子科技有限公司

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    • 地址:厦门市海沧区新乐东路9号
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    • 商标信息 0
    • 专利信息 14
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    • 作品著作权 0
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    专利信息14

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 SiC MOSFET器件单元及其制造方法 发明专利 CN201610080830.9 CN105576032B 2019-03-12
    2 降低逆向漏电流的GaN场效应管组件胞架构 发明专利 CN201610488152.X CN107546255A 2018-01-05
    3 晶体管封装结构 发明专利 CN201610488155.3 CN107546190A 2018-01-05
    4 降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件及其制造方法 发明专利 CN201710035516.3 CN106920834A 2017-07-04
    5 SiC MOSFET器件单元 实用新型 CN201620115677.4 CN205621741U 2016-10-05
    6 SiC MOSFET器件单元及其制造方法 发明专利 CN201610080830.9 CN105576032A 2016-05-11
    7 碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法 发明专利 CN201610018524.2 CN105513962A 2016-04-20
    8 功率模块 发明专利 CN201510734212.7 CN105405818A 2016-03-16
    9 功率元件 实用新型 CN201520564682.9 CN205050826U 2016-02-24
    10 增加散热效能的功率元件 实用新型 CN201520564694.1 CN204885135U 2015-12-16

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