商标信息0
专利信息14
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | SiC MOSFET器件单元及其制造方法 | 发明专利 | CN201610080830.9 | CN105576032B | 2019-03-12 |
2 | 降低逆向漏电流的GaN场效应管组件胞架构 | 发明专利 | CN201610488152.X | CN107546255A | 2018-01-05 |
3 | 晶体管封装结构 | 发明专利 | CN201610488155.3 | CN107546190A | 2018-01-05 |
4 | 降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件及其制造方法 | 发明专利 | CN201710035516.3 | CN106920834A | 2017-07-04 |
5 | SiC MOSFET器件单元 | 实用新型 | CN201620115677.4 | CN205621741U | 2016-10-05 |
6 | SiC MOSFET器件单元及其制造方法 | 发明专利 | CN201610080830.9 | CN105576032A | 2016-05-11 |
7 | 碳化硅器件中的Trench MOSFET的栅氧化加工方法 | 发明专利 | CN201610018524.2 | CN105513962A | 2016-04-20 |
8 | 功率模块 | 发明专利 | CN201510734212.7 | CN105405818A | 2016-03-16 |
9 | 功率元件 | 实用新型 | CN201520564682.9 | CN205050826U | 2016-02-24 |
10 | 增加散热效能的功率元件 | 实用新型 | CN201520564694.1 | CN204885135U | 2015-12-16 |
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