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  • 硅能

    苏州硅能半导体科技股份有限公司

    存续
    • 地址:中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区01幢506室、西北区13幢202室
    • 简介:-
    • 商标信息 14
    • 专利信息 84
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 1

    商标信息14

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 SILIKRON 09类-科学仪器 6983697 商标已注册 2008-10-06 查看
    2 SILIKRON 35类-广告销售 6983696 商标已注册 2008-10-06 查看
    3 SILIKRON 42类-网站服务 6983695 商标已注册 2008-10-06 查看
    4 硅能 09类-科学仪器 6455026 商标无效 2007-12-24 查看
    5 硅能 42类-网站服务 6455025 商标无效 2007-12-24 查看
    6 硅能 35类-广告销售 6455024 商标已注册 2007-12-24 查看
    7 硅能;SILIKRON 09类-科学仪器 6455023 商标已注册 2007-12-24 查看
    8 硅能 42类-网站服务 6455022 商标已注册 2007-12-24 查看
    9 硅能 35类-广告销售 6455021 商标已注册 2007-12-24 查看
    10 SILIKRON 09类-科学仪器 6455020 商标无效 2007-12-24 查看

    专利信息84

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 耐击穿MOSFET器件 实用新型 CN202022826936.3 CN213366605U 2021-06-04
    2 垂直结构MOS半导体器件 实用新型 CN202022824492.X CN213366604U 2021-06-04
    3 沟槽式功率MOS半导体器件 实用新型 CN202021211707.4 CN213366602U 2021-06-04
    4 金氧半场效晶体管器件 实用新型 CN202021210661.4 CN213366601U 2021-06-04
    5 沟槽式MOS器件 实用新型 CN202021209920.1 CN213366600U 2021-06-04
    6 沟槽型MOS晶体管 实用新型 CN202021212352.0 CN212810310U 2021-03-26
    7 垂直功率MOSFET半导体器件 实用新型 CN202021217034.3 CN212725320U 2021-03-16
    8 沟槽MOS场效应晶体管 实用新型 CN202021217031.X CN212342640U 2021-01-12
    9 大功率MOSFET器件 实用新型 CN202021216864.4 CN212342639U 2021-01-12
    10 中低压沟槽型MOS器件 实用新型 CN202021210590.8 CN212342638U 2021-01-12

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案1

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 苏州硅能半导体科技股份有限公司 www.silikron.com 苏ICP备07507106号 企业 2020-07-06
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