商标信息14
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | SILIKRON | 09类-科学仪器 | 6983697 | 商标已注册 | 2008-10-06 | 查看 |
2 | SILIKRON | 35类-广告销售 | 6983696 | 商标已注册 | 2008-10-06 | 查看 |
3 | SILIKRON | 42类-网站服务 | 6983695 | 商标已注册 | 2008-10-06 | 查看 |
4 | 硅能 | 09类-科学仪器 | 6455026 | 商标无效 | 2007-12-24 | 查看 |
5 | 硅能 | 42类-网站服务 | 6455025 | 商标无效 | 2007-12-24 | 查看 |
6 | 硅能 | 35类-广告销售 | 6455024 | 商标已注册 | 2007-12-24 | 查看 |
7 | 硅能;SILIKRON | 09类-科学仪器 | 6455023 | 商标已注册 | 2007-12-24 | 查看 |
8 | 硅能 | 42类-网站服务 | 6455022 | 商标已注册 | 2007-12-24 | 查看 |
9 | 硅能 | 35类-广告销售 | 6455021 | 商标已注册 | 2007-12-24 | 查看 |
10 | SILIKRON | 09类-科学仪器 | 6455020 | 商标无效 | 2007-12-24 | 查看 |
专利信息84
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
---|---|---|---|---|---|
1 | 耐击穿MOSFET器件 | 实用新型 | CN202022826936.3 | CN213366605U | 2021-06-04 |
2 | 垂直结构MOS半导体器件 | 实用新型 | CN202022824492.X | CN213366604U | 2021-06-04 |
3 | 沟槽式功率MOS半导体器件 | 实用新型 | CN202021211707.4 | CN213366602U | 2021-06-04 |
4 | 金氧半场效晶体管器件 | 实用新型 | CN202021210661.4 | CN213366601U | 2021-06-04 |
5 | 沟槽式MOS器件 | 实用新型 | CN202021209920.1 | CN213366600U | 2021-06-04 |
6 | 沟槽型MOS晶体管 | 实用新型 | CN202021212352.0 | CN212810310U | 2021-03-26 |
7 | 垂直功率MOSFET半导体器件 | 实用新型 | CN202021217034.3 | CN212725320U | 2021-03-16 |
8 | 沟槽MOS场效应晶体管 | 实用新型 | CN202021217031.X | CN212342640U | 2021-01-12 |
9 | 大功率MOSFET器件 | 实用新型 | CN202021216864.4 | CN212342639U | 2021-01-12 |
10 | 中低压沟槽型MOS器件 | 实用新型 | CN202021210590.8 | CN212342638U | 2021-01-12 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案1
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
---|---|---|---|---|---|
1 | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 | www.silikron.com | 苏ICP备07507106号 | 企业 | 2020-07-06 |
邮箱
电话
公司简介
企业联系方式
关注公众号,免费查看企业全部联系方式
请使用微信扫描二维码关注「满商公司网」
满商公司网
2亿企业免费查
企业信息变动早知道
欢迎登录
没有账户?立即注册
获取验证码
找回密码
返回登录
欢迎登录
返回登录
获取验证码