商标信息7
序号 | 商标 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
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APPLIED POWER MICROELECTRONICS | 09类-科学仪器 | 44199500 | 商标已注册 | 2020-02-24 | 查看 |
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APPLIED POWER MICROELECTRONICS | 35类-广告销售 | 44196994 | 初审公告 | 2020-02-24 | 查看 |
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图形 | 35类-广告销售 | 44192008 | 等待实质审查 | 2020-02-24 | 查看 |
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APPLIED POWER | 35类-广告销售 | 15943210 | 商标已注册 | 2014-12-16 | 查看 |
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应能微电子 | 09类-科学仪器 | 12359572 | 商标已注册 | 2013-04-01 | 查看 |
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应能微电子 | 35类-广告销售 | 12359260 | 商标已注册 | 2013-04-01 | 查看 |
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图形 | 09类-科学仪器 | 12359127 | 商标已注册 | 2013-04-01 | 查看 |
专利信息67
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | CN202111047854.1 | CN113497032A | 2021-10-12 |
2 | 具有网格状阴阳极沟槽结构的瞬态电压抑制保护器件 | 发明专利 | CN202111047867.9 | CN113488464A | 2021-10-08 |
3 | 一种开启功率MOS时的短路检测电路及芯片 | 实用新型 | CN202120121312.3 | CN214311487U | 2021-09-28 |
4 | 一种半导体场效应管器件 | 发明专利 | CN202110792887.2 | CN113257895B | 2021-09-28 |
5 | 一种低电容双向瞬态电压抑制器结构及其制作方法 | 发明专利 | CN202110740486.2 | CN113257807B | 2021-09-24 |
6 | 一种低电容双向瞬态电压抑制器结构及其制作方法 | 发明专利 | CN202110740486.2 | CN113257807A | 2021-09-24 |
7 | 双向高压瞬态电压抑制器的结构及其制作方法 | 发明专利 | CN202110964546.9 | CN113421930A | 2021-09-21 |
8 | 降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构和制造方法 | 发明专利 | CN202110964535.0 | CN113410311A | 2021-09-17 |
9 | 集成逆导二极管的可控硅瞬态电压抑制保护器件结构 | 发明专利 | CN202110919920.3 | CN113380786A | 2021-09-10 |
10 | 集成逆导二极管的可控硅版图结构 | 发明专利 | CN202110920348.2 | CN113363253A | 2021-09-07 |
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