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  • 聚力成

    聚力成半导体(重庆)有限公司

    存续
    • 地址:重庆市大足区高新技术产业开发区
    • 简介:-
    • 商标信息 20
    • 专利信息 8
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 1
    • 网站备案 7

    商标信息20

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 聚力成 09类-科学仪器 55871447 等待实质审查 2021-05-08 查看
    2 图形 35类-广告销售 53317320 初审公告 2021-01-26 查看
    3 图形 40类-材料加工 53312053 初审公告 2021-01-26 查看
    4 聚力成 40类-材料加工 53309120 初审公告 2021-01-26 查看
    5 图形 09类-科学仪器 53309060 初审公告 2021-01-26 查看
    6 GLC 40类-材料加工 53294112 初审公告 2021-01-26 查看
    7 图形 42类-网站服务 53294105 初审公告 2021-01-26 查看
    8 聚力成 09类-科学仪器 51984807 等待实质审查 2020-12-08 查看
    9 聚力成 42类-网站服务 51967701 初审公告 2020-12-08 查看
    10 聚力成 35类-广告销售 51962127 等待实质审查 2020-12-08 查看

    专利信息8

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 增强型氮化镓晶体管的结构与使用该结构的封装芯片 发明专利 CN202010273269.2 CN113161416A 2021-07-23
    2 半导体装置的制造方法 发明专利 CN201910832446.3 CN111063656A 2020-04-24
    3 半导体装置的制造方法 发明专利 CN201910833072.7 CN111048411A 2020-04-21
    4 一种提高氮化镓器件外延层质量的结构 实用新型 CN201921362648.8 CN210245455U 2020-04-03
    5 一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构 实用新型 CN201921362601.1 CN210224041U 2020-03-31
    6 半导体装置 发明专利 CN201910832477.9 CN110707153A 2020-01-17
    7 一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构及其制备方法 发明专利 CN201910774581.7 CN110400835A 2019-11-01
    8 一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法 发明专利 CN201910773840.4 CN110400744A 2019-11-01

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权1

    序号 作品名 作品类别 登记号 创作完成日期 首次发表日期 登记批准日期
    1 聚力成徽标 - 国作登字-2019-F-00846495 - 2019 2019

    网站备案7

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 聚力成半导体(重庆)有限公司 183.66.252.102 渝ICP备19000278号 企业 2021-07-21
    2 聚力成半导体有限公司 www.glcgrp.com 渝ICP备19000278号 企业 2021-07-21
    3 聚力成半导体 183.67.30.197 渝ICP备19000278号 企业 2021-07-21
    4 聚力成半导体有限公司 www.glcgrp.com 渝ICP备19000278号 企业 2021-07-21
    5 聚力成半导体 183.67.30.197 渝ICP备19000278号 企业 2021-07-21
    6 聚力成半导体(重庆)有限公司 183.66.252.102 渝ICP备19000278号 企业 2020-05-25
    7 聚力成半导体有限公司 www.glcgrp.com 渝ICP备19000278号 企业 2020-05-25
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