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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	高压半导体功率装置的边缘终接的结构	发明专利	CN202010327210.7	CN113555413A	2021-10-26
2	自对准的沟槽式场效应晶体管及其制备方法	发明专利	CN202010277938.3	CN113540234A	2021-10-22
3	沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法	发明专利	CN202010277890.6	CN113517341A	2021-10-19
4	具有超结晶体管机构的集成电路系统	实用新型	CN202022926608.0	CN214313214U	2021-09-28
5	具有超结晶体管机构的集成电路系统和其制造方法	发明专利	CN202011428328.5	CN112436052A	2021-03-02
6	一种保护屏蔽栅沟槽型场效应晶体管的屏蔽多晶硅侧壁的形成方法	发明专利	CN201910765715.9	CN112397390A	2021-02-23
7	自对准的沟槽式场效应晶体管	实用新型	CN202020529911.4	CN211700291U	2020-10-16
8	高压半导体功率装置的边缘终接的结构	实用新型	CN202020631223.9	CN211700290U	2020-10-16
9	屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法	发明专利	CN201910202460.5	CN111697082A	2020-09-22
10	沟槽型功率器件的沟槽栅结构	实用新型	CN202020530709.3	CN211455690U	2020-09-08

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