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商标信息 19
专利信息 37
软件著作权 0
作品著作权 1
网站备案 2

商标信息19

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	派恩杰	36类-金融物管	54664623	初审公告	2021-03-25	查看
2	派恩杰	38类-通讯服务	54662178	初审公告	2021-03-25	查看
3	派恩杰	42类-网站服务	54653245	初审公告	2021-03-25	查看
4	派恩杰	35类-广告销售	54636315	初审公告	2021-03-25	查看
5	图形	38类-通讯服务	43923652	商标已注册	2020-01-19	查看
6	图形	36类-金融物管	43920501	商标已注册	2020-01-19	查看
7	图形	42类-网站服务	43917230	商标已注册	2020-01-19	查看
8	图形	35类-广告销售	43915586	商标已注册	2020-01-19	查看
9	图形	09类-科学仪器	38668374	驳回复审中	2019-06-04	查看
10	图形	09类-科学仪器	38274493	商标已注册	2019-05-17	查看

专利信息37

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	集成ESD的SiC功率MOSFET器件	实用新型	CN202120609695.9	CN214336721U	2021-10-01
2	终端有源区同设计的SiC功率器件及其制备方法	发明专利	CN202110704971.4	CN113437154A	2021-09-24
3	一种GaN晶体管驱动电路	实用新型	CN202022648758.X	CN214228225U	2021-09-17
4	一种反相器	实用新型	CN202022652532.7	CN214228217U	2021-09-17
5	碳化硅结型场效应管	实用新型	CN202022648802.7	CN213988892U	2021-08-17
6	集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法	发明专利	CN202110321862.4	CN112951922A	2021-06-11
7	带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET	实用新型	CN202021831014.5	CN213366599U	2021-06-04
8	一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管、元胞结构	实用新型	CN202021485861.0	CN213304144U	2021-05-28
9	一种带有槽型JFET的碳化硅MOS器件	实用新型	CN202020734542.2	CN212907743U	2021-04-06
10	一种具有相同栅源掺杂的场效应晶体管及其元胞结构	实用新型	CN202020593696.4	CN212676273U	2021-03-09

软件著作权0

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暂无软件著作权

作品著作权1

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	派恩杰LOGO	-	渝作登字-2020-F-10043017	-	2018	2020

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	派恩杰半导体有限公司	www.pnjsemi.com	浙ICP备18050014号	企业	2018-11-22
2	派恩杰半导体有限公司	www.pnjsemi.com	浙ICP备18050014号	企业	2018-11-22

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