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专利信息59

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种分子束外延设备中衬底温度的确定方法	发明专利	CN202110518840.7	CN113252195A	2021-08-13
2	一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法	发明专利	CN202110641641.5	CN113097349B	2021-08-06
3	一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法	发明专利	CN202110596527.5	CN113035697B	2021-07-30
4	一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法	发明专利	CN202110641641.5	CN113097349A	2021-07-09
5	一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法	发明专利	CN202110596527.5	CN113035697A	2021-06-25
6	一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统	发明专利	CN202010288145.1	CN111474456B	2021-03-05
7	一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法	发明专利	CN201910845381.6	CN110527975B	2020-12-18
8	一种GaAs基DBR外延材料结构	实用新型	CN202020540978.8	CN211789981U	2020-10-27
9	一种分子束外延生长表面监测装置	实用新型	CN202020540945.3	CN211295044U	2020-08-18
10	一种外延材料结构的结构参数确定方法及计算机程序产品	发明专利	CN202010385227.8	CN111540420B	2020-08-14

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