商标信息3
专利信息95
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 低位错密度高可靠性高低压CMOS自对准双阱工艺方法及器件 | 发明专利 | CN202110591089.3 | CN113380799A | 2021-09-10 |
2 | 一种集成整流器的平面MOSFET及其制造方法 | 发明专利 | CN202110336377.4 | CN113257917A | 2021-08-13 |
3 | 一种集成整流器的平面场效应晶体管及其制造方法 | 发明专利 | CN202110336367.0 | CN113257916A | 2021-08-13 |
4 | 一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法 | 发明专利 | CN201710767049.3 | CN107742607B | 2021-05-11 |
5 | 一种用于集成电路晶圆级封装的重构方法 | 发明专利 | CN201910823826.0 | CN110473792B | 2021-04-02 |
6 | 一种高速低损耗的多槽栅高压功率器件 | 发明专利 | CN201910805724.6 | CN110504308B | 2021-03-30 |
7 | 反偏型硅发光SOI光电隔离器、其集成电路及制作方法 | 发明专利 | CN201910823544.0 | CN110491967B | 2021-03-02 |
8 | 一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法 | 发明专利 | CN202010884582.X | CN112071757A | 2020-12-11 |
9 | 一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法 | 发明专利 | CN202010582154.1 | CN111933694A | 2020-11-13 |
10 | 与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法 | 发明专利 | CN202010635339.4 | CN111799224A | 2020-10-20 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案6
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2021-04-21 |
2 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2021-04-21 |
3 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2021-04-21 |
4 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2021-04-21 |
5 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.semi-chip.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2018-10-12 |
6 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | www.analogfoundries.com | 渝ICP备10200975号 | 企业 | 2018-10-12 |
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