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    南昌硅基半导体科技有限公司

    存续
    • 地址:江西省南昌市南昌高新技术产业开发区艾溪湖北路679号2栋工程技术研究中心附楼
    • 简介:-
    • 商标信息 9
    • 专利信息 165
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 2

    商标信息9

    序号 商标名称 国际分类 注册号 状态 申请日期 操作
    1 类太阳 11类-灯具空调 22045561 商标已注册 2016-11-25 查看
    2 准太阳 QUASI-SUN 11类-灯具空调 22045419 商标已注册 2016-11-25 查看
    3 类太阳 QUASI-SUN 11类-灯具空调 22045311 商标已注册 2016-11-25 查看
    4 准太阳 11类-灯具空调 22045139 商标已注册 2016-11-25 查看
    5 准太阳 09类-科学仪器 22044875 商标已注册 2016-11-25 查看
    6 准太阳 QUASI-SUN 09类-科学仪器 22044824 商标已注册 2016-11-25 查看
    7 类太阳 QUASI-SUN 09类-科学仪器 22044818 等待实质审查 2016-11-25 查看
    8 类太阳 09类-科学仪器 22044611 商标已注册 2016-11-25 查看
    9 HUANGLUMEN 11类-灯具空调 21369076 商标已注册 2016-09-21 查看

    专利信息165

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法 发明专利 CN202210076426.X CN114122218A 2022-03-01
    2 一种AlGaInN发光二极管的接触结构 发明专利 CN202111158607.9 CN113921677A 2022-01-11
    3 一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法 发明专利 CN202111097152.4 CN113921600A 2022-01-11
    4 一种无荧光粉多基色LED教室照明灯具 实用新型 CN202120808548.4 CN214672667U 2021-11-09
    5 一种无荧光粉多基色LED灯具的混光结构 实用新型 CN202120208246.3 CN214672604U 2021-11-09
    6 一种采用LED光源进行照明的黄光室工作灯 实用新型 CN202120031141.5 CN214672603U 2021-11-09
    7 一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置 实用新型 CN202022488531.3 CN214655232U 2021-11-09
    8 一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法 发明专利 CN202110583269.7 CN113471060A 2021-10-01
    9 一种低应力TiW薄膜的制备方法 发明专利 CN202110555105.3 CN113445005A 2021-09-28
    10 一种高反射低欧姆接触电极的制备方法 发明专利 CN202110575377.X CN113437194A 2021-09-24

    软件著作权0

    暂无信息 暂无软件著作权

    作品著作权0

    暂无信息 暂无作品著作权

    网站备案2

    序号 网站名 网址 备案号 主办单位性质 审核日期
    1 南昌硅基半导体科技有限公司 www.ncygl.com;www.ncygl.com.cn 赣ICP备12001599号 企业 2019-02-26
    2 南昌硅基半导体科技有限公司 www.ncygl.com;www.ncygl.com.cn 赣ICP备12001599号 企业 2019-02-26
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